结构和化学成像确定了{110}界面垂直于（001）层平面，个关项工程在整个厚度的10 nm范围内横向定位和清晰。

碲化铅热电材料由于其优异的性能在军事和航空航天领域得到广泛应用，料电但其有一个致命缺点-含有铅元素，对环境不友好。图5材料结构表征图6材料ZT图【结论】综上所述，池相研究团队通过重含量Cu与In双掺杂，实现了协同优化GeTe电声输运特性的目的。

重含量Cu掺杂可以在GeTe中获得Cu2Te纳米晶第二相，目山Cu2Te纳米晶形成声子散射中心调控GeTe的声子输运过程，目山使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格热导率在823K下降到0.31Wm-1K-1，低于理论计算的GeTe材料非晶极限值。同时In掺杂在GeTe费米能级附近产生共振态能级，省级能够提升材料的塞贝克系数，省级In、Cu双掺还能显著提高GeTe材料载流子迁移率，从而使材料功率因子显著提升，将GeTe材料的热电优值ZT提升至2.0。作为窄禁带半导体，重点GeTe具有高浓度空穴载流子（~1021cm-3），使其具有高热导率和低塞贝克系数，从而导致其热电性能不高。

论文信息AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDopingQingtangZhang,YongshengZhang,YueleiZhu,ZhuoyangTi,YangCao,ShuangLi,MeiyuWang,DiLi,BoZou,YunxiangHou,PengWang*,GuodongTang*, ACSNano.文献链接：第单https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650（ACSNano，第单2021，DOI:10.1021/acsnano.1c05650）本文由作者投稿。批名这种电声协同效应导致GeTe材料热电优值从0.8提升至2.0。

个关项工程GeTe材料有望取代碲化铅成为一种十分理想的环境友好型热电材料。

图1In、料电Cu掺杂引入Cu2Te纳米晶、料电共振能级示意图In、Cu双掺优化载流子浓度的同时提高了载流子迁移率，同时In掺杂引入共振能级提高了塞贝克系数，从而实现了功率因子的大幅提升。紧跟物联网时代凸显创新优势在倡导新零售、池相宣扬消费升级的时代精神下，星港家居大胆加速品牌的蜕变步伐。

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